MCH3375-TL-W Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 1.6A MCPH3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 3-SMD, Flat Lead
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.295Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 800mW Ta
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295m Ω @ 800mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 82pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4V 10V
Continuous Drain Current (ID) 1.6A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
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