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MCH3481-TL-W Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 3-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104m Ω @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±9V
Turn-Off Delay Time 28 ns
Threshold Voltage 900mV
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2A
DS Breakdown Voltage-Min 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 70
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2017
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 800mW Ta
Turn On Delay Time 6.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A Ta
Rise Time 27ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.2V 4.5V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 9V
Drain-source On Resistance-Max 0.104Ohm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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