MGSF1N02LT1G Technische Spezifikationen

MGSF1N02LT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 90MOhm
Subcategory FET General Purpose Powers
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 400mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 2.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 750mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 1 ns
Continuous Drain Current (ID) 750mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Height 1.01mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Position DUAL
Current Rating 750mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 400mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90m Ω @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 5V
Rise Time 1ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Threshold Voltage 1.7V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.75A
Nominal Vgs 1.7 V
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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