MJ15022G Technische Spezifikationen

MJ15022G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~200°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 250W
Terminal Form PIN/PEG
Frequency 4MHz
Number of Elements 1
Power Dissipation 250W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 200V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 8A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 3.2A, 16A
Transition Frequency 4MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 350V
hFE Min 15
Length 39.37mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-204AA, TO-3
Number of Pins 2
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tray
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 200V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 16A
Pin Count 2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 4MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 16A
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 200V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.4V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 8.51mm
Width 26.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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MJ15001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1291
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