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MJD112-1G Technische Spezifikationen
MJD112-1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 100V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 100V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A 3V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Transition Frequency | 25MHz |
Frequency - Transition | 25MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Height | 6.22mm |
Width | 2.38mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 20W |
Current Rating | 2A |
Base Part Number | MJD112 |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 1.75W |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Max Collector Current | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20μA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 100V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 100V |
Continuous Collector Current | 2A |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MJD112-1G Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "MJD11" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'MJD11'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MJD112 | Original | Spezialisierte heiße ICs | 218280 |
MJD112-001 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2663 |
MJD112-001 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
MJD112-001G | ON | Spezialisierte heiße ICs | 3128 |
MJD112-1 | MOTOLOR | Spezialisierte heiße ICs | 12811 |
MJD112-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 5307 |
MJD112-1G/MJD117 | ON/FAI | Spezialisierte heiße ICs | 2692 |
MJD112-RTF | KEC | Spezialisierte heiße ICs | 3252 |
MJD112-RTF/P | KEC | Spezialisierte heiße ICs | 3432 |
MJD112-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2790 |
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MJD112-1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, MJD112-1G Referenzpreis. MJD112-1G Parameter, MJD112-1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MJD112-1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MJD112-1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MJD112-1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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