MJD210RL Technische Spezifikationen

MJD210RL datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.4W
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -5A
Base Part Number MJD210
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 65MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Transition Frequency 65MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 70
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Voltage - Rated DC -25V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Emitter Base Voltage (VEBO) 8V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD210 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2377
MJD210 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD210 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2221
MJD210-TF SAMSUNG Spezialisierte heiße ICs 60221
MJD210G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 573
MJD210G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD210L UTC Spezialisierte heiße ICs 2781
MJD210L-TN3-R UTC Spezialisierte heiße ICs 1548
MJD210LT4G ON Spezialisierte heiße ICs 3000
MJD210RL AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5956

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