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MJD210RLG Technische Spezifikationen

MJD210RLG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -25V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -5A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 65MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Transition Frequency 65MHz
Max Breakdown Voltage 25V
Emitter Base Voltage (VEBO) 8V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 12.5W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 65MHz
Base Part Number MJD210
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Polarity PNP, NPN
Power Dissipation 1.4W
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type PNP
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 70
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD210 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2377
MJD210 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD210 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2221
MJD210-TF SAMSUNG Spezialisierte heiße ICs 60221
MJD210G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 573
MJD210G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD210L UTC Spezialisierte heiße ICs 2781
MJD210L-TN3-R UTC Spezialisierte heiße ICs 1548
MJD210LT4G ON Spezialisierte heiße ICs 3000
MJD210RL AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5956

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