MJD3055T4 Technische Spezifikationen

MJD3055T4 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.75W
Peak Reflow Temperature (Cel) 235
Current Rating 10A
Base Part Number MJD3055
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation 20W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.1V @ 400mA, 4A
Transition Frequency 2MHz
Max Breakdown Voltage 60V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 2MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.1V
Collector Base Voltage (VCBO) 70V
hFE Min 20
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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