MJD31T4G Technische Spezifikationen

MJD31T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 3A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.56W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Transition Frequency 3MHz
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.56W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 3MHz
Base Part Number MJD31
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 3MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.2V
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 25
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD31 ON Spezialisierte heiße ICs 38361
MJD31 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 17148
MJD31C STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 9361
MJD31C MOS ST Spezialisierte heiße ICs 609
MJD31C-1 FSC Spezialisierte heiße ICs 2234
MJD31C-13 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 8100
MJD31C-13 IC Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 3383
MJD31C-1G ON Spezialisierte heiße ICs 711
MJD31C-ITU FSC Spezialisierte heiße ICs 20150
MJD31C1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2542

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