MJE18002 Technische Spezifikationen

MJE18002 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 50W
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 13MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 1A
Transition Frequency 13MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 9V
hFE Min 14
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SWITCHMODE™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Voltage - Rated DC 450V
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 2A
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 50W
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 14 @ 200mA 5V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 450V
Collector Emitter Saturation Voltage 920mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 9V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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