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MJE340STU Technische Spezifikationen

MJE340STU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 20W
Base Part Number MJE340
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA 10V
Collector Emitter Breakdown Voltage 300V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 11mm
Width 3.25mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Weight 761mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2001
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 300V
Current Rating 500mA
Number of Elements 1
Power Dissipation 20W
Transistor Type NPN
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA ICBO
Collector Base Voltage (VCBO) 300V
hFE Min 30
Length 8mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJE340 STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 43131
MJE340 IC MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 764
MJE340/MJE350 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 9265
MJE340G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5333
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