MJE5742G Technische Spezifikationen

MJE5742G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 2W
Current Rating 8A
Pin Count 3
Polarity NPN
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 400mA, 8A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Continuous Collector Current 8A
Length 10.2616mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 907.18474mg
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2003
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 400V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 8A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 400V
Emitter Base Voltage (VEBO) 8V
Height 15.748mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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MJE5730 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2772
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