MMSF3P02HDR2 Technische Spezifikationen

MOSFET 20V 3A P-Channel

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -3A
Pin Count 8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.6A Ta
Rise Time 40ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 567 mJ
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75m Ω @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 97 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.6A
Drain-source On Resistance-Max 0.075Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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