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MMUN2116LT1G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 246mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number MMUN21**L
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 160
Continuous Collector Current 100mA
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity PNP
Power Dissipation 246mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Max Frequency 10kHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
Height 1.01mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MMUN2111 N/A Spezialisierte heiße ICs 3000
MMUN2111LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 1397
MMUN2111LT1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111RLT1 LRC Spezialisierte heiße ICs 3500
MMUN2111RLT1G ON Spezialisierte heiße ICs 4270

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