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MMUN2137LT1G Technische Spezifikationen
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 3 |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.47 |
Max Power Dissipation | 246mW |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MMUN2137LT1G Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für MMUN2137LT1G
-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'MMUN2'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MMUN2111 | N/A | Spezialisierte heiße ICs | 3000 |
MMUN2111LT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 1397 |
MMUN2111LT1 | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
MMUN2111LT1 | Rochester Electronics, LLC | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
MMUN2111LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 5340 |
MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
MMUN2111LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 7669 |
MMUN2111LT3G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
MMUN2111RLT1 | LRC | Spezialisierte heiße ICs | 3500 |
MMUN2111RLT1G | ON | Spezialisierte heiße ICs | 4270 |
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MMUN2137LT1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, MMUN2137LT1G Referenzpreis. MMUN2137LT1G Parameter, MMUN2137LT1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MMUN2137LT1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MMUN2137LT1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MMUN2137LT1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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