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MMUN2138LT1G Technische Spezifikationen

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 246mW
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 160
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Pin Count 3
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MMUN2111 N/A Spezialisierte heiße ICs 3000
MMUN2111LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 1397
MMUN2111LT1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111RLT1 LRC Spezialisierte heiße ICs 3500
MMUN2111RLT1G ON Spezialisierte heiße ICs 4270

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