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MMUN2212LT1 Technische Spezifikationen

MMUN2212LT1 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Published 2007
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 246mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 246mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 100mA
Base Part Number MMUN22**L
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
JEDEC-95 Code TO-236AB
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 60
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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MMUN2212LT1 Unterlagen

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Andere schließen ein   "MMUN2"   Teile

Die folgenden Teile umfassen  'MMUN2' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MMUN2111 N/A Spezialisierte heiße ICs 3000
MMUN2111LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 1397
MMUN2111LT1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MMUN2111RLT1 LRC Spezialisierte heiße ICs 3500
MMUN2111RLT1G ON Spezialisierte heiße ICs 4270

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MMUN2212LT1 Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, MMUN2212LT1 Referenzpreis. MMUN2212LT1 Parameter, MMUN2212LT1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MMUN2212LT1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MMUN2212LT1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MMUN2212LT1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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