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MPS5179 Technische Spezifikationen

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Bulk
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Min Operating Temperature -55°C
Voltage - Rated DC 12V
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code not_compliant
Frequency 2GHz
Base Part Number MPS5179
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Power - Max 200mW
Gain Bandwidth Product 2 GHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Transition Frequency 900MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) 2.5V
Continuous Collector Current 50mA
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 201mg
Published 2006
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 350mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 50mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 350mW
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA 1V
Gain 15 dB
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
hFE Min 25
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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