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MPS6601G Technische Spezifikationen

MPS6601G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating 1A
Base Part Number MPS6601
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 25V
hFE Min 50
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e1
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 625mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 625mW
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage 600mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 4V
Turn On Time-Max (ton) 55ns
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MPS6601 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2248
MPS6601 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MPS6601 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
MPS6601G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2645
MPS6601G Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
MPS6601RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2543
MPS6601RLRA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MPS6601RLRAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2692
MPS6601RLRAG ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MPS6602 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2687

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