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MPSW45 Technische Spezifikationen

MPSW45 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.29.00.75
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 1W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25000 @ 200mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 1A
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
Continuous Collector Current 1A
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 1A
Base Part Number MPSW45
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Frequency - Transition 100MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 12V
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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MPSW42 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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