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MUN2114T1G Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR - MUN2114T1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SC-59, FULL REEL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 230mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity PNP
Power Dissipation 338mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUN2111 ON Spezialisierte heiße ICs 3500
MUN2111LT1 ON Spezialisierte heiße ICs 52000
MUN2111LT1G ON Spezialisierte heiße ICs 2664
MUN2111T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 780
MUN2111T1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2111T1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 50220
MUN2111T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 279
MUN2111T3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2696

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