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MUN2136T1 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating -100mA
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Emitter Base (R2) 100 k Ω
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 230mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Power - Max 230mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Resistor - Base (R1) 100 k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUN2111 ON Spezialisierte heiße ICs 3500
MUN2111LT1 ON Spezialisierte heiße ICs 52000
MUN2111LT1G ON Spezialisierte heiße ICs 2664
MUN2111T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 780
MUN2111T1 ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2111T1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 50220
MUN2111T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN2111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 279
MUN2111T3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2696

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