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MUN5114T1G Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity PNP
Power Dissipation 202mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case SC-70, SOT-323
Number of Pins 3
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 202mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number MUN51**T
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUN5111DW1T1 ON Spezialisierte heiße ICs 4000
MUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 139500
MUN5111DW1T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
MUN5111DWT1G ON Spezialisierte heiße ICs 2575
MUN5111LT1G ON Spezialisierte heiße ICs 3000
MUN5111T1 ON Spezialisierte heiße ICs 2478
MUN5111T1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 9700
MUN5111T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 521

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