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MUN5135DW1T1G Technische Spezifikationen

BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/2.2KOHM, SOT363 - More Details

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 250mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 2.2k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -100mA
Base Part Number MUN51**DW1T
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Continuous Collector Current -100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUN5111DW1T1 ON Spezialisierte heiße ICs 4000
MUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 139500
MUN5111DW1T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
MUN5111DWT1G ON Spezialisierte heiße ICs 2575
MUN5111LT1G ON Spezialisierte heiße ICs 3000
MUN5111T1 ON Spezialisierte heiße ICs 2478
MUN5111T1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 9700
MUN5111T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 521

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