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MUN5233DW1T1 Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 250mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 100mA
Base Part Number MUN52**DW1T
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 6
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 187mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Continuous Collector Current 100mA
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUN5211 ZXDZ Spezialisierte heiße ICs 15500
MUN5211DW1T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 1164
MUN5211DW1T1 ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
MUN5211DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2411
MUN5211DW1T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
MUN5211T1 ON Spezialisierte heiße ICs 10800
MUN5211T1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5211T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 115900
MUN5211T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5211T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 9207

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