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MUN5240T1G Technische Spezifikationen
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 3 |
Polarity | NPN |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Number of Pins | 3 |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Max Power Dissipation | 202mW |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
hFE Min | 120 |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
MUN5240T1G Unterlagen
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "MUN52" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'MUN52'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MUN5211 | ZXDZ | Spezialisierte heiße ICs | 15500 |
MUN5211DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 1164 |
MUN5211DW1T1 | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
MUN5211DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2411 |
MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
MUN5211T1 | ON | Spezialisierte heiße ICs | 10800 |
MUN5211T1 | Rochester Electronics, LLC | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
MUN5211T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 115900 |
MUN5211T1G | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
MUN5211T1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 9207 |
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MUN5240T1G Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, MUN5240T1G Referenzpreis. MUN5240T1G Parameter, MUN5240T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MUN5240T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MUN5240T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MUN5240T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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