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MVSF2N02ELT1G Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 1.437803g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Power Dissipation-Max 1.25W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85m Ω @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 5A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A Ta
Rise Time 95ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 125 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.8A
Drain-source On Resistance-Max 0.085Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 20V
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MVSF2N02ELT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3433
MVSF2N02ELT1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 5713
MVSF2N02LT1G O Spezialisierte heiße ICs 120417
MVSF2N02LT1G MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 18956

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