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NDD02N60Z-1G Technische Spezifikationen

MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 28 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 4.8Ohm
Subcategory FET General Purpose Powers
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 57W
Turn On Delay Time 9 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 274pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 7 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.2A
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Height 7.62mm
Width 2.38mm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 57W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A Tc
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 9A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NDD02N40 O Spezialisierte heiße ICs 10367
NDD02N40 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5522
NDD02N40-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 398
NDD02N40-1G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NDD02N40T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2504
NDD02N40T4G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NDD02N60Z ON Spezialisierte heiße ICs 22966
NDD02N60Z-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 11022
NDD02N60Z-1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3035
NDD02N60Z-1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 347

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