NDD03N60Z-1G Technische Spezifikationen

MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 9 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ω @ 1.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 312pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 10 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.6A
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 4
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 3.6Ohm
Pin Count 4
Power Dissipation-Max 61W Tc
Power Dissipation 61W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A Tc
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Height 7.62mm
Width 2.38mm
RoHS Status RoHS Compliant
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