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NDD04N60ZT4G Technische Spezifikationen

NDD04N60ZT4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 83W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A Tc
Rise Time 9ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 24 ns
Threshold Voltage 3.9V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.6A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20A
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Resistance 1.8Ohm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 83W
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ω @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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