NDD05N50Z-1G Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR NDD05N50Z-1G MOSFET Transistor

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Number of Pins 4
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 1.5Ohm
Subcategory FET General Purpose Powers
Pin Count 4
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 83W
Turn On Delay Time 11 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ω @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Height 7.62mm
Width 2.38mm
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Power Dissipation-Max 83W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A Tc
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 24 ns
Threshold Voltage 4.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Nominal Vgs 4.5 V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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NDD05N50Z ON Spezialisierte heiße ICs 18707
NDD05N50Z-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2517
NDD05N50ZT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 20100
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