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NDD60N360U1T4G Technische Spezifikationen

Power MOSFET 600V 11A 360 mOhm Single N-Channel DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 114W
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 5.5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Tc
Rise Time 20ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 11A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 44A
Avalanche Energy Rating (Eas) 64 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 114W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
DS Breakdown Voltage-Min 600V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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