NE5517DR2G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Instrumentierungs-Operationsverstärker
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 16
Operating Temperature 0°C~70°C
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Packing Method TAPE AND REEL
Technology BIPOLAR
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Supply Voltage 15V
Base Part Number NE5517
Output Type Push-Pull
Number of Elements 2
Number of Circuits 2
Power Dissipation 1.125W
Supply Current-Max 4mA
Amplifier Type Transconductance
Current - Input Bias 400nA
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 4V~44V ±2V~22V
Output Current per Channel 650μA
Input Offset Voltage (Vos) 5mV
Unity Gain BW-Nom 2000 kHz
Low-Offset NO
Voltage - Input Offset 400μV
Nominal Gain Bandwidth Product 2MHz
Length 10mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 665.986997mg
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 16
Subcategory Operational Amplifiers
Max Power Dissipation 1.125W
Terminal Form GULL WING
Number of Functions 2
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 16
Operating Supply Voltage 30V
Power Supplies +-15V
Operating Supply Current 2.6mA
Output Current 350μA
Slew Rate 50V/μs
Common Mode Rejection Ratio 80 dB
Max Input Voltage -3V
Halogen Free Halogen Free
Supply Type Dual, Single
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) -15V
Average Bias Current-Max (IIB) 8μA
Frequency Compensation YES
Bias Current-Max (IIB) @25C 5μA
Height 1.5mm
Width 4mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NE5510279A-T1 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 2749
NE5510279A-T1-A RENESAS Spezialisierte heiße ICs 16515
NE5510279A-T1-A SMD RENESAS Spezialisierte heiße ICs 356
NE5511279A-T1 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 15474
NE5511279A-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 2530
NE5511279A-T1-A CEL RF-MOSFET-Transistoren
NE5512 PHILIP Spezialisierte heiße ICs 1450
NE5512D PHI Spezialisierte heiße ICs 33151
NE5512N NXP Spezialisierte heiße ICs 5430
NE5514D PHILPS Spezialisierte heiße ICs 1305

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