NE5532DR2G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Instrumentierungs-Operationsverstärker
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 0°C~70°C
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Subcategory Operational Amplifier
Technology BIPOLAR
Terminal Form GULL WING
Number of Functions 2
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 16
Power Supplies +-15V
Operating Supply Current 8mA
Power Dissipation 1.2W
Slew Rate 9V/μs
Amplifier Type General Purpose
Current - Input Bias 200nA
Halogen Free Halogen Free
Input Offset Voltage (Vos) 4mV
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) -15V
Voltage Gain 100dB
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 100dB
Frequency Compensation YES
Bias Current-Max (IIB) @25C 0.8μA
Height 2.4mm
Width 7.6mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
Number of Pins 16
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 16
Terminal Finish Tin (Sn)
Packing Method TAPE AND REEL
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
Supply Voltage 15V
Base Part Number NE5532
Operating Supply Voltage 20V
Number of Channels 2
Nominal Supply Current 8mA
Output Current 38mA
Architecture VOLTAGE-FEEDBACK
Common Mode Rejection Ratio 70 dB
Voltage - Supply, Single/Dual (±) ±3V~20V
Output Current per Channel 38mA
Bandwidth 10MHz
Unity Gain BW-Nom 10000 kHz
Average Bias Current-Max (IIB) 1μA
Low-Offset NO
Voltage - Input Offset 500μV
Nominal Gain Bandwidth Product 10MHz
Length 10.45mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NE5531079A-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 2670
NE5531079A-A CEL RF-MOSFET-Transistoren
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NE5531079A-T1A-A CEL RF-MOSFET-Transistoren
NE5532 Original Spezialisierte heiße ICs 2380
NE5532(NE5532AD) TI Spezialisierte heiße ICs 825
NE5532/SOP8/DIP TI Spezialisierte heiße ICs 15822459

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