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NGB8207ANT4G Technische Spezifikationen

IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 165W
Base Part Number NGB8207A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Input Type Logic
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 365V
Collector Emitter Breakdown Voltage 365V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 3.7V, 10A
Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 165W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 20A
Turn On Time 2450 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 14700 ns
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NGB8202ANT4G Hamlin / Littelfuse Transistoren - IGBTs - Einzel 189294
NGB8202ANT4G Littelfuse Inc. Einzelne IGBTs
NGB8202ANTF4G Hamlin / Littelfuse Transistoren - IGBTs - Einzel 5924
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NGB8202ANTF4G IC ON/LITTELFUSE Spezialisierte heiße ICs 5840
NGB8202N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 609
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NGB8202NT4 ON Semiconductor Einzelne IGBTs
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