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NGTB15N60EG Technische Spezifikationen

ON SEMICONDUCTOR - NGTB15N60EG - IGBT, 600V, 15A, TO-220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 117W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Power - Max 117W
Turn-Off Delay Time 130 ns
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 15A, 22 Ω, 15V
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 900μJ (on), 300μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Length 10.28mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Pin Count 3
Power Dissipation 47W
Turn On Delay Time 78 ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 270 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.95V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 15A
Gate Charge 80nC
Td (on/off) @ 25°C 78ns/130ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 15.75mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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NGTB15N60EG Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NGTB15N60EG Referenzpreis. NGTB15N60EG Parameter, NGTB15N60EG Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NGTB15N60EG Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NGTB15N60EG Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NGTB15N60EG Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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