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NGTB30N120FL2WG
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NGTB30N120FL2WG Technische Spezifikationen
IGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 11 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Weight | 6.500007g |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Max Power Dissipation | 452W |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 452W |
Max Collector Current | 60A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 1.2kV |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
Gate Charge | 220nC |
Td (on/off) @ 25°C | 98ns/210ns |
Height | 21.4mm |
Width | 5.3mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Input Type | Standard |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.2kV |
Reverse Recovery Time | 240 ns |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 30A, 10 Ω, 15V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Switching Energy | 2.6mJ (on), 700μJ (off) |
Length | 16.25mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'NGTB3'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NGTB30N120FL2WG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 448 |
NGTB30N120IHLWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2619 |
NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | Einzelne IGBTs | |
NGTB30N120IHLWG | Rochester Electronics, LLC | Einzelne IGBTs | |
NGTB30N120IHRWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2526 |
NGTB30N120IHRWG | ON Semiconductor | Einzelne IGBTs | |
NGTB30N120IHRWG | Rochester Electronics, LLC | Einzelne IGBTs | |
NGTB30N120IHSWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2773 |
NGTB30N120IHSWG | ON Semiconductor | Einzelne IGBTs | |
NGTB30N120IHSWG | Rochester Electronics, LLC | Einzelne IGBTs |
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NGTB30N120FL2WG Markenhersteller: ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NGTB30N120FL2WG Referenzpreis. NGTB30N120FL2WG Parameter, NGTB30N120FL2WG Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NGTB30N120FL2WG Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NGTB30N120FL2WG Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NGTB30N120FL2WG Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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