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NGTB50N60SWG Technische Spezifikationen

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-247 Tube

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 100A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A
Gate Charge 135nC
Td (on/off) @ 25°C 70ns/144ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.6V
Reverse Recovery Time 376ns
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 600μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NGTB50N120FL2WAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2654
NGTB50N120FL2WAG ON Semiconductor Einzelne IGBTs
NGTB50N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 6241
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NGTB50N60FLWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 600
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