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NGTB50N65FL2WG Technische Spezifikationen

NGTB50N65FL2WG datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 417W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
Reverse Recovery Time 94 ns
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 1.5mJ (on), 460μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 417W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 100A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
Gate Charge 220nC
Td (on/off) @ 25°C 100ns/237ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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