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NGTG40N120FL2WG Technische Spezifikationen

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 3-Pin TO-247 Tube

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 535W
Max Collector Current 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Gate Charge 313nC
Td (on/off) @ 25°C 116ns/286ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 535W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Input Type Standard
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.4V
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Test Condition 600V, 40A, 10 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Lead Free Lead Free
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NGTG40N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2753

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