NJL4302DG Technische Spezifikationen

NJL4302DG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 5
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC 260V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 35MHz
Pin Count 5
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 350V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 800mA, 8A
Transition Frequency 35MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-264-5
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 230W
Current Rating 15A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation 230W
Gain Bandwidth Product 35MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 15A
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 350V
Collector Base Voltage (VCBO) 350V
hFE Min 80
RoHS Status RoHS Compliant
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NJL4302DG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2685

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