NJVMJD112T4G Technische Spezifikationen

NJVMJD112T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.75W
Pin Count 3
Polarity NPN
Power - Max 20W
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 20μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 100V
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Base Part Number MJD112
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 100V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Transition Frequency 25MHz
Frequency - Transition 25MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NJVMJB41CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2564
NJVMJB41CT4G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NJVMJB42CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2799
NJVMJB42CT4G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
NJVMJB44H11T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2746
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