NJVMJD2955T4G Technische Spezifikationen

NJVMJD2955T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 1.75W
Base Part Number MJD2955
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.75W
Transistor Type PNP
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Transition Frequency 2MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Frequency 2MHz
Pin Count 3
Configuration Single
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Collector Base Voltage (VCBO) 70V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NJVMJB41CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2564
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