NJVMJD44H11D3T4G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G3
Configuration SINGLE
Power - Max 20W
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Transition Frequency 85MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 20W
Terminal Form GULL WING
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN
Max Collector Current 8A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Frequency - Transition 85MHz
Lead Free Lead Free
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NJVMJB41CT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2564
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