NJW44H11G Technische Spezifikationen

NJW44H11G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Part Status Active
Max Power Dissipation 120W
Gain Bandwidth Product 85MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 4A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Element Configuration Single
Transistor Type NPN
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 10μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Continuous Collector Current 10A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NJW44H11G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2672

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