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NJX1675PDR2G Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Frequency - Transition 100MHz 120MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -7V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Pin Count 8
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 2W
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 1A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 100
RoHS Status RoHS Compliant
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NJX1675PDR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2597
NJX1675PDR2G Rochester Electronics, LLC Arrays BJT-Transistoren

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