NRVB830MFST1G Technische Spezifikationen

NRVB830MFST1G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einphasen-Diodengleichrichter
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Diode Element Material SILICON
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature LOW POWER LOSS
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200μA @ 30V
Case Connection CATHODE
Output Current-Max 8A
Max Reverse Voltage (DC) 30V
Number of Phases 1
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -40°C
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Element Configuration Single
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 700mV @ 8A
Operating Temperature - Junction -40°C~150°C
Application EFFICIENCY
Average Rectified Current 8A
Peak Reverse Current 200μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 150A
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