NRVBB2535CTLT4G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Diode Element Material SILICON
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -65°C
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Position SINGLE
Pin Count 3
Number of Elements 2
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 10mA @ 35V
Forward Current 12.5A
Application POWER
Forward Voltage 550mV
Average Rectified Current 12.5A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 35V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Max Forward Surge Current (Ifsm) 150A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 125°C
Additional Feature FREE WHEELING DIODE
Subcategory Rectifier Diodes
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Common Cathode
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 470mV @ 12.5A
Operating Temperature - Junction -65°C~125°C
Halogen Free Halogen Free
Max Reverse Voltage (DC) 35V
Number of Phases 1
Peak Non-Repetitive Surge Current 150A
Reverse Current-Max 10000μA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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