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NRVBD640VCTT4G Technische Spezifikationen

NRVBD640VCTT4G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SWITCHMODE™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
Reference Standard AEC-Q101
Operating Temperature (Max) 175°C
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100μA @ 40V
Operating Temperature - Junction -65°C~175°C
Application FAST RECOVERY POWER
Current - Average Rectified (Io) 3A
Rep Pk Reverse Voltage-Max 40V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Breakdown Voltage-Min 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Diode Element Material SILICON
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Additional Feature FREE WHEELING DIODE
Terminal Form GULL WING
Base Part Number MBRD640CT
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 2
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 700mV @ 3A
Output Current-Max 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 40V
Number of Phases 1
Non-rep Pk Forward Current-Max 75A
Reverse Current-Max 100μA
Reverse Test Voltage 40V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NRVBD1035CTLT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2800
NRVBD1035CTLT4G ON Semiconductor Gleichrichter-Dioden-Array
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