NRVHP8H200MFDT3G Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 48 Weeks
Package / Case 8-PowerTDFN
Diode Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™
Part Status Active
Additional Feature FREE WHEELING DIODE
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Diode Type Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 910mV @ 8A
Operating Temperature - Junction -55°C~175°C
Application GENERAL PURPOSE
Current - Average Rectified (Io) 4A
Reverse Recovery Time 30ns
Non-rep Pk Forward Current-Max 80A
Reverse Current-Max 0.5μA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Number of Terminations 6
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Operating Temperature (Max) 175°C
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 200V
Case Connection CATHODE
Output Current-Max 4A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Number of Phases 1
Rep Pk Reverse Voltage-Max 200V
Diode Configuration 2 Independent
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